IRFR9020TRPBF,812-0641,Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装 ,Vishay
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IRFR9020TRPBF
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号:
IRFR9020TRPBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
812-0641
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFR9020TRPBF产品详细信息
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor
IRFR9020TRPBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
典型输入电容值@Vds
490 pF@ -25 V
典型栅极电荷@Vgs
9.4 nC @ 10 V
封装类型
TO-252
高度
2.38mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
42 W
最大连续漏极电流
9.9 A
最大漏源电压
50 V
最大漏源电阻值
280 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFR9020TRPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
Vishay 长度 6.73mm
MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间 12 ns
Vishay 典型关断延迟时间 12 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
Vishay 典型接通延迟时间 8.2 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.2 ns
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典型输入电容值@Vds 490 pF@ -25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 490 pF@ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 490 pF@ -25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 490 pF@ -25 V
典型栅极电荷@Vgs 9.4 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 9.4 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.4 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.4 nC @ 10 V
封装类型 TO-252
Vishay 封装类型 TO-252
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252
高度 2.38mm
Vishay 高度 2.38mm
MOSFET 晶体管 高度 2.38mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.38mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 6.22mm
Vishay 宽度 6.22mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
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类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 P
Vishay 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
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通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 42 W
Vishay 最大功率耗散 42 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 42 W
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最大连续漏极电流 9.9 A
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最大漏源电压 50 V
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最大漏源电阻值 280 mΩ
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
Vishay 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRFR9020TRPBF产品技术参数资料
IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020, Power MOSFET
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