关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	16.13mm
尺寸	16.13 x 5.21 x 21.1mm
典型关断延迟时间	23.2 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	950 pF @ 1000 V
典型栅极电荷@Vgs	49.2 nC @ 20 V
封装类型	TO-247
高度	21.1mm
晶体管材料	SiC
晶体管配置	单
宽度	5.21mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	208 W
最大连续漏极电流	31 A
最大漏源电压	1200 V
最大漏源电阻值	208 mΩ
最大栅阈值电压	3.2V
最大栅源电压	-10 → +25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.7V
关键词

安装类型 通孔  Wolfspeed 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Wolfspeed MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Wolfspeed 长度 16.13mm  MOSFET 晶体管 长度 16.13mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Wolfspeed 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm   典型关断延迟时间 23.2 ns  Wolfspeed 典型关断延迟时间 23.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.2 ns  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.2 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Wolfspeed 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 950 pF @ 1000 V  Wolfspeed 典型输入电容值@Vds 950 pF @ 1000 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 950 pF @ 1000 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 950 pF @ 1000 V   典型栅极电荷@Vgs 49.2 nC @ 20 V  Wolfspeed 典型栅极电荷@Vgs 49.2 nC @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 49.2 nC @ 20 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 49.2 nC @ 20 V   封装类型 TO-247  Wolfspeed 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Wolfspeed MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 21.1mm  Wolfspeed 高度 21.1mm  MOSFET 晶体管 高度 21.1mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 高度 21.1mm   晶体管材料 SiC  Wolfspeed 晶体管材料 SiC  MOSFET 晶体管 晶体管材料 SiC  Wolfspeed MOSFET 晶体管 晶体管材料 SiC   晶体管配置 单  Wolfspeed 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Wolfspeed MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.21mm  Wolfspeed 宽度 5.21mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm  Wolfspeed MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm   类别 功率 MOSFET  Wolfspeed 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Wolfspeed MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Wolfspeed 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Wolfspeed MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Wolfspeed 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Wolfspeed MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Wolfspeed 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Wolfspeed MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Wolfspeed 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Wolfspeed MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 208 W  Wolfspeed 最大功率耗散 208 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 208 W  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大功率耗散 208 W   最大连续漏极电流 31 A  Wolfspeed 最大连续漏极电流 31 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 31 A  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 31 A   最大漏源电压 1200 V  Wolfspeed 最大漏源电压 1200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1200 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1200 V   最大漏源电阻值 208 mΩ  Wolfspeed 最大漏源电阻值 208 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 208 mΩ  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 208 mΩ   最大栅阈值电压 3.2V  Wolfspeed 最大栅阈值电压 3.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.2V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.2V   最大栅源电压 -10 → +25 V  Wolfspeed 最大栅源电压 -10 → +25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -10 → +25 V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -10 → +25 V   最低工作温度 -55 °C  Wolfspeed 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Wolfspeed 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.7V  Wolfspeed 最小栅阈值电压 1.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.7V  Wolfspeed MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.7V  

• C2M0080120D Silicon Carbide Power MOSFET