VNP14NV04-E,809-1332,STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET VNP14NV04-E, 12 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET VNP14NV04-E, 12 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
VNP14NV04-E
库存编号：
809-1332
STMicroelectronics VNP14NV04-E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

VNP14NV04-E产品详细信息

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。

线性电流限制
热关闭
短路保护
ESD 保护
一体式夹

VNP14NV04-E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 9.35 x 4.6mm  
  典型关断延迟时间  450 ns  
  典型接通延迟时间  80 ns  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  70 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最小栅阈值电压  0.5V  
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