FDC855N,809-0871,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC855N, 6.1 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC855N, 6.1 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
FDC855N
库存编号:
809-0871
Fairchild Semiconductor FDC855N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDC855N产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor

FDC855N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  493 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9.2 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  类别  逻辑电平 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.6 W  
  最大连续漏极电流  6.1 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  39 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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