FDB029N06,809-0799,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB029N06, 120 A,193 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB029N06, 120 A,193 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
FDB029N06
库存编号:
809-0799
Fairchild Semiconductor FDB029N06
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDB029N06产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

FDB029N06产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  54 ns  
  典型接通延迟时间  39 ns  
  典型输入电容值@Vds  7380 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  116 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  231 W  
  最大连续漏极电流  120 A,193 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  3.1 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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