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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.65mm
典型关断延迟时间	65 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	492 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	14.3 nC @ 10 V
封装类型	SOT-223
高度	1.65mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3+Tab
最大功率耗散	2.3 W
最大连续漏极电流	2 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	185 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  ON Semiconductor 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm  ON Semiconductor 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm   典型关断延迟时间 65 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 65 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns   典型接通延迟时间 11 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 492 pF @ 25 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 492 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 492 pF @ 25 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 492 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  ON Semiconductor 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.65mm  ON Semiconductor 高度 1.65mm  MOSFET 晶体管 高度 1.65mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.65mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  ON Semiconductor 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  ON Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3+Tab  ON Semiconductor 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 2.3 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 2.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.3 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.3 W   最大连续漏极电流 2 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2 A   最大漏源电压 60 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 185 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 185 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 185 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 185 Ω   最大栅阈值电压 4V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

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