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安装类型	通孔
长度	4.7mm
尺寸	4.7 x 3.93 x 4.7mm
典型输入电容值@Vds	20 pF @ 25 V
封装类型	TO-92
高度	4.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.93mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	625 mW
最大连续漏极电流	400 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	3.5 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• BS270, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Data Sheet