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安装类型	表面贴装
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 11.33mm
典型关断延迟时间	168 ns
典型接通延迟时间	24 ns
典型输入电容值@Vds	12960 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	236 nC @ 10 V
封装类型	D2PAK
高度	11.33mm
宽度	4.83mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	StrongIRFET
引脚数目	7
最大功率耗散	375 W
最大连续漏极电流	240 A，338 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	1.4 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  International Rectifier 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm  International Rectifier 尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm   典型关断延迟时间 168 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 168 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 168 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 168 ns   典型接通延迟时间 24 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 24 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 24 ns   典型输入电容值@Vds 12960 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 12960 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12960 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12960 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 236 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 236 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 236 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 236 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  International Rectifier 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 11.33mm  International Rectifier 高度 11.33mm  MOSFET 晶体管 高度 11.33mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 11.33mm   宽度 4.83mm  International Rectifier 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 StrongIRFET  International Rectifier 系列 StrongIRFET  MOSFET 晶体管 系列 StrongIRFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 系列 StrongIRFET   引脚数目 7  International Rectifier 引脚数目 7  MOSFET 晶体管 引脚数目 7  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 7   最大功率耗散 375 W  International Rectifier 最大功率耗散 375 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W   最大连续漏极电流 240 A，338 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 240 A，338 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 240 A，338 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 240 A，338 A   最大漏源电压 60 V  International Rectifier 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 1.4 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 1.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.4 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.4 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  International Rectifier 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• StrongIRFET IRFS7530-7PPbF, HEXFET Power MOSFET