IRFB7530PBF,807-1536,International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7530PBF, 195 A，295 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,International Rectifier
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International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7530PBF, 195 A，295 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRFB7530PBF
库存编号：
807-1536
International Rectifier IRFB7530PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFB7530PBF产品详细信息

StrongIRFET? 功率 MOSFET，Infineon

Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

IRFB7530PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  172 ns  
  典型接通延迟时间  52 ns  
  典型输入电容值@Vds  13703 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  274 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.51mm  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  StrongIRFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  294 W  
  最大连续漏极电流  195 A，295 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  2 米Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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