FDS89161LZ,806-3670,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89161LZ, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89161LZ, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
FDS89161LZ
库存编号：
806-3670
Fairchild Semiconductor FDS89161LZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDS89161LZ产品详细信息

PowerTrench? 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDS89161LZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.575mm  
  典型关断延迟时间  9.5 ns  
  典型接通延迟时间  3.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  227 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  2.1 nC @ 5 V，38 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.575mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  3.9mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  31 W  
  最大连续漏极电流  2.7 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  182 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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