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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 3 x 0.75mm
典型关断延迟时间	16 ns，23 ns
典型接通延迟时间	6 ns，7 ns
典型输入电容值@Vds	1685 pF@ 15 V，848 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	13 nC @ 10 V，14 nC @ 5 V，26 nC @ 10 V，6.7 nC @ 5 V
封装类型	Power 33
高度	0.75mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	3mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
系列	PowerTrench, SyncFET
引脚数目	8
最大功率耗散	1.9 W
最大连续漏极电流	12 A，16 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	7.5 mΩ，12.4 mΩ
最大栅源电压	±12 V，±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.2V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Fairchild Semiconductor 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 3 x 0.75mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 3 x 3 x 0.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.75mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.75mm   典型关断延迟时间 16 ns，23 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 16 ns，23 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns，23 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns，23 ns   典型接通延迟时间 6 ns，7 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 6 ns，7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns，7 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns，7 ns   典型输入电容值@Vds 1685 pF@ 15 V，848 pF@ 15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1685 pF@ 15 V，848 pF@ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1685 pF@ 15 V，848 pF@ 15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1685 pF@ 15 V，848 pF@ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V，14 nC @ 5 V，26 nC @ 10 V，6.7 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V，14 nC @ 5 V，26 nC @ 10 V，6.7 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V，14 nC @ 5 V，26 nC @ 10 V，6.7 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V，14 nC @ 5 V，26 nC @ 10 V，6.7 nC @ 5 V   封装类型 Power 33  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 33  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 33  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 33   高度 0.75mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.75mm  MOSFET 晶体管 高度 0.75mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.75mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 3mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3mm  MOSFET 晶体管 宽度 3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3mm   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench, SyncFET  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench, SyncFET  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1.9 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1.9 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.9 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.9 W   最大连续漏极电流 12 A，16 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 12 A，16 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A，16 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A，16 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 7.5 mΩ，12.4 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 7.5 mΩ，12.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.5 mΩ，12.4 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.5 mΩ，12.4 mΩ   最大栅源电压 ±12 V，±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V，±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V，±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V，±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  

• FDMC7208S, Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Q1: 30V 12A 9mOhm, Q2: 30V 16A 6.4mOhm Data Sheet