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安装类型	通孔
长度	15.87mm
尺寸	15.87 x 4.82 x 20.82mm
典型关断延迟时间	232 ns
典型接通延迟时间	88 ns
典型输入电容值@Vds	8665 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	125 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	20.82mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.82mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	PowerTrench
引脚数目	3
正向二极管电压	1.25V
最大功率耗散	450 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	75 V
最大漏源电阻值	8 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Fairchild Semiconductor 长度 15.87mm  MOSFET 晶体管 长度 15.87mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm   典型关断延迟时间 232 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 232 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 232 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 232 ns   典型接通延迟时间 88 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 88 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 88 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 88 ns   典型输入电容值@Vds 8665 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 8665 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 8665 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 8665 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.82mm  Fairchild Semiconductor 高度 20.82mm  MOSFET 晶体管 高度 20.82mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 20.82mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.82mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.82mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.25V  Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.25V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.25V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.25V   最大功率耗散 450 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 450 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 450 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 450 W   最大连续漏极电流 80 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 75 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 75 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V   最大漏源电阻值 8 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 8 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• FDH038AN08A1, N-Channel PowerTrench MOSFET 75V 80A 3.8mOhm Data Sheet