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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.25 x 1mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	85.4 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	1.08 nC @ 4.5 V
封装类型	SC-70
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.25mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
正向二极管电压	1.2V
最大功率耗散	300 mW
最大连续漏极电流	500 mA
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	1.2 Ω
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.65V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Fairchild Semiconductor 长度 2mm  MOSFET 晶体管 长度 2mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 1mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 2 x 1.25 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 1mm   典型关断延迟时间 40 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 85.4 pF @ -10 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 85.4 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 85.4 pF @ -10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 85.4 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 1.08 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 1.08 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.08 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.08 nC @ 4.5 V   封装类型 SC-70  Fairchild Semiconductor 封装类型 SC-70  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-70  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SC-70   高度 1mm  Fairchild Semiconductor 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.25mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.25mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  Fairchild Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  Fairchild Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   最大功率耗散 300 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 300 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 mW  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 mW   最大连续漏极电流 500 mA  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 500 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 500 mA  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 500 mA   最大漏源电压 20 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 1.2 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 1.2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω   最大栅源电压 ±12 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.65V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.65V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.65V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.65V  

• FDG6318PZ, Dual P-Channel, Digital FET Data Sheet