FDG313N,806-3371,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDG313N, 950 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDG313N, 950 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装

制造商零件编号:
FDG313N
库存编号:
806-3371
Fairchild Semiconductor FDG313N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDG313N产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

FDG313N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1mm  
  典型关断延迟时间  17 ns  
  典型接通延迟时间  3 ns  
  典型输入电容值@Vds  50 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.64 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SC-70  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.25mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  1.5S  
  最大功率耗散  750 mW  
  最大连续漏极电流  950 mA  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  760 mΩ  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.65V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDG313N产品技术参数资料

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