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安装类型	表面贴装
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 11.33mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	12.5 ns
典型输入电容值@Vds	1570 pF@ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	26 nC @ 5 V
封装类型	TO-263AB
高度	11.33mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	75 W
最大连续漏极电流	30 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	0.075 Ω
最大栅源电压	±16 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 11.33mm   典型关断延迟时间 50 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 50 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns   典型接通延迟时间 12.5 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 12.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.5 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.5 ns   典型输入电容值@Vds 1570 pF@ -15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1570 pF@ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1570 pF@ -15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1570 pF@ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 5 V   封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-263AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB   高度 11.33mm  Fairchild Semiconductor 高度 11.33mm  MOSFET 晶体管 高度 11.33mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 11.33mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Fairchild Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 75 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 75 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 75 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 75 W   最大连续漏极电流 30 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 30 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.075 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 0.075 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.075 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.075 Ω   最大栅源电压 ±16 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V   最低工作温度 -65 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• NDP6030PL / NDB6030PL, P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Data Sheet