NTMS5P02R2G,805-4254,ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTMS5P02R2G, 2.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTMS5P02R2G, 2.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
NTMS5P02R2G
库存编号:
805-4254
ON Semiconductor NTMS5P02R2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTMS5P02R2G产品详细信息

P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor

NTMS5P02R2G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  70 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  1375 pF @ -16 V  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  2.7 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  48 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.25V  
  最大栅源电压  ±10 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NTMS5P02R2G产品技术参数资料

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