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安装类型	表面贴装
长度	1.6mm
尺寸	1.6 x 1.6 x 0.5mm
典型关断延迟时间	149 ns
典型接通延迟时间	17.4 ns
典型输入电容值@Vds	300 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	4.2 nC @ 4.5 V
封装类型	UDFN
高度	0.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.3 W
最大连续漏极电流	900 mA
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	650 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.6mm  ON Semiconductor 长度 1.6mm  MOSFET 晶体管 长度 1.6mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 1.6mm   尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm  ON Semiconductor 尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm   典型关断延迟时间 149 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 149 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 149 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 149 ns   典型接通延迟时间 17.4 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 17.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17.4 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17.4 ns   典型输入电容值@Vds 300 pF @ -10 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 300 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ -10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 300 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 4.5 V   封装类型 UDFN  ON Semiconductor 封装类型 UDFN  MOSFET 晶体管 封装类型 UDFN  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 UDFN   高度 0.5mm  ON Semiconductor 高度 0.5mm  MOSFET 晶体管 高度 0.5mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.5mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.6mm  ON Semiconductor 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  ON Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  ON Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.3 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 1.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大连续漏极电流 900 mA  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 900 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 900 mA  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 900 mA   最大漏源电压 20 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 650 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 650 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 650 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 650 mΩ   最大栅阈值电压 1V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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