2N7002V,805-1141,Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002V, 280 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563F封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002V, 280 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563F封装

制造商零件编号:
2N7002V
库存编号:
805-1141
Fairchild Semiconductor 2N7002V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2N7002V产品详细信息

增强模式双 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

2N7002V产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.2 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  12.5 ns  
  典型接通延迟时间  5.85 ns  
  典型输入电容值@Vds  37.8 pF @ 25 V  
  封装类型  SOT-563F  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.2mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  250 mW  
  最大连续漏极电流  280 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  13.5 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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