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安装类型	表面贴装
长度	1.7mm
尺寸	1.7 x 0.98 x 0.78mm
典型关断延迟时间	12.5 ns
典型接通延迟时间	5.85 ns
典型输入电容值@Vds	37.8 pF @ 25 V
封装类型	SOT-523F
高度	0.78mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	0.98mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	200 mW
最大连续漏极电流	115 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	13.5 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.7mm  Fairchild Semiconductor 长度 1.7mm  MOSFET 晶体管 长度 1.7mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 1.7mm   尺寸 1.7 x 0.98 x 0.78mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 1.7 x 0.98 x 0.78mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 0.98 x 0.78mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 0.98 x 0.78mm   典型关断延迟时间 12.5 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 12.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12.5 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12.5 ns   典型接通延迟时间 5.85 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 5.85 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.85 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.85 ns   典型输入电容值@Vds 37.8 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 37.8 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 37.8 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 37.8 pF @ 25 V   封装类型 SOT-523F  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-523F  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-523F  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-523F   高度 0.78mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.78mm  MOSFET 晶体管 高度 0.78mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.78mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.98mm  Fairchild Semiconductor 宽度 0.98mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.98mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 0.98mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 200 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 200 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大连续漏极电流 115 mA  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 115 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 115 mA  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 115 mA   最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 13.5 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 13.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13.5 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13.5 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• 2N7002T, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor