FDS6692A,805-0378,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
FDS6692A
库存编号：
805-0378
Fairchild Semiconductor FDS6692A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDS6692A产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor

FDS6692A产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.575mm  
  典型关断延迟时间  33 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  1210 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.575mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1.47 W  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  19 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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FDS6692A配套附件

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FDS6692A相关搜索

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