IXFX98N50P3,802-4506,IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装 ,IXYS
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装

制造商零件编号:
IXFX98N50P3
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
802-4506
IXYS IXFX98N50P3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXFX98N50P3产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Polar3? 系列

一系列 IXYS Polar3? 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFX98N50P3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.34mm  
  典型关断延迟时间  65 ns  
  典型接通延迟时间  35 ns  
  典型输入电容值@Vds  13100 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  197 nC @ 10 V  
  封装类型  PLUS247  
  高度  21.34mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.3 kW  
  最大连续漏极电流  98 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  50 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

IXFX98N50P3相关搜索

安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  IXYS 长度 16.13mm  MOSFET 晶体管 长度 16.13mm  IXYS MOSFET 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm  IXYS 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm  IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm   典型关断延迟时间 65 ns  IXYS 典型关断延迟时间 65 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns   典型接通延迟时间 35 ns  IXYS 典型接通延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns   典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V  IXYS 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V  IXYS 典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V   封装类型 PLUS247  IXYS 封装类型 PLUS247  MOSFET 晶体管 封装类型 PLUS247  IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 PLUS247   高度 21.34mm  IXYS 高度 21.34mm  MOSFET 晶体管 高度 21.34mm  IXYS MOSFET 晶体管 高度 21.34mm   晶体管材料 Si  IXYS 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  IXYS 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.21mm  IXYS 宽度 5.21mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm  IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm   类别 功率 MOSFET  IXYS 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  IXYS 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  IXYS 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  IXYS 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HiperFET, Polar3  IXYS 系列 HiperFET, Polar3  MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar3  IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar3   引脚数目 3  IXYS 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.3 kW  IXYS 最大功率耗散 1.3 kW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 kW  IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 kW   最大连续漏极电流 98 A  IXYS 最大连续漏极电流 98 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 98 A  IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 98 A   最大漏源电压 500 V  IXYS 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 50 mΩ  IXYS 最大漏源电阻值 50 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ   最大栅阈值电压 5V  IXYS 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  IXYS 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  IXYS 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  IXYS 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号