IXFX98N50P3,802-4506,IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装 ,IXYS
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IXFX98N50P3
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
制造商零件编号:
IXFX98N50P3
制造商:
IXYS
IXYS
库存编号:
802-4506
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFX98N50P3产品详细信息
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Polar3? 系列
一系列 IXYS Polar3? 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)
IXFX98N50P3产品技术参数
安装类型
通孔
长度
16.13mm
尺寸
16.13 x 5.21 x 21.34mm
典型关断延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
35 ns
典型输入电容值@Vds
13100 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
197 nC @ 10 V
封装类型
PLUS247
高度
21.34mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.21mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
HiperFET, Polar3
引脚数目
3
最大功率耗散
1.3 kW
最大连续漏极电流
98 A
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
50 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IXFX98N50P3相关搜索
安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 16.13mm
IXYS 长度 16.13mm
MOSFET 晶体管 长度 16.13mm
IXYS MOSFET 晶体管 长度 16.13mm
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm
IXYS 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm
MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm
IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm
典型关断延迟时间 65 ns
IXYS 典型关断延迟时间 65 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 35 ns
IXYS 典型接通延迟时间 35 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns
典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V
IXYS 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V
IXYS 典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 197 nC @ 10 V
封装类型 PLUS247
IXYS 封装类型 PLUS247
MOSFET 晶体管 封装类型 PLUS247
IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 PLUS247
高度 21.34mm
IXYS 高度 21.34mm
MOSFET 晶体管 高度 21.34mm
IXYS MOSFET 晶体管 高度 21.34mm
晶体管材料 Si
IXYS 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
IXYS MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
IXYS 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.21mm
IXYS 宽度 5.21mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm
IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.21mm
类别 功率 MOSFET
IXYS 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
IXYS 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
IXYS 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
IXYS 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 HiperFET, Polar3
IXYS 系列 HiperFET, Polar3
MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar3
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引脚数目 3
IXYS 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 1.3 kW
IXYS 最大功率耗散 1.3 kW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 kW
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最大连续漏极电流 98 A
IXYS 最大连续漏极电流 98 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 98 A
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最大漏源电压 500 V
IXYS 最大漏源电压 500 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V
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最大漏源电阻值 50 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ
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最大栅阈值电压 5V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V
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最低工作温度 -55 °C
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MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
IXYS 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
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800152669
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IXFX98N50P3产品技术参数资料
IXFK98N50P3, IXFX98N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
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