IXFQ20N50P3,802-4445,IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
IXFQ20N50P3
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
802-4445
IXYS IXFQ20N50P3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IXFQ20N50P3产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Polar3? 系列

一系列 IXYS Polar3? 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFQ20N50P3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.8mm  
  尺寸  15.8 x 4.9 x 20.3mm  
  典型关断延迟时间  43 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1800 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  36 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.9mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  380 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXFQ20N50P3
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IXFQ20N50P3
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IXFQ20N50P3
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO-3P

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IXFQ20N50P3
IXYS		MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IXFQ20N50P3
IXYS		MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFQ20N50P3
IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ20N50P3		2674765

IXYS SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.3 ohm, 10 V, 5 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

IXYS - IXFQ20N50P3 - IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
制造商零件编号：
IXFQ20N50P3
品牌：
IXYS
库存编号：
802-4445
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IXYS - IXFQ20N50P3 - MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P		IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P

型号：IXFQ20N50P3
仓库库存编号：IXFQ20N50P3-ND
 无铅搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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