关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	19.96mm
尺寸	19.96 x 5.13 x 26.16mm
典型关断延迟时间	87 ns
典型接通延迟时间	48 ns
典型输入电容值@Vds	13100 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	190 nC @ 10 V
封装类型	TO-264
高度	26.16mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.13mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HiperFET, Polar3
引脚数目	3
最大功率耗散	1.3 kW
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	70 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 19.96mm  IXYS 长度 19.96mm  MOSFET 晶体管 长度 19.96mm  IXYS MOSFET 晶体管 长度 19.96mm   尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm  IXYS 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm  MOSFET 晶体管 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm  IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm   典型关断延迟时间 87 ns  IXYS 典型关断延迟时间 87 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 87 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 87 ns   典型接通延迟时间 48 ns  IXYS 典型接通延迟时间 48 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 48 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 48 ns   典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V  IXYS 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 13100 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V  IXYS 典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V   封装类型 TO-264  IXYS 封装类型 TO-264  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-264  IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 TO-264   高度 26.16mm  IXYS 高度 26.16mm  MOSFET 晶体管 高度 26.16mm  IXYS MOSFET 晶体管 高度 26.16mm   晶体管材料 Si  IXYS 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  IXYS 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.13mm  IXYS 宽度 5.13mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.13mm  IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.13mm   类别 功率 MOSFET  IXYS 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  IXYS 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  IXYS 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  IXYS 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HiperFET, Polar3  IXYS 系列 HiperFET, Polar3  MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar3  IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar3   引脚数目 3  IXYS 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.3 kW  IXYS 最大功率耗散 1.3 kW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 kW  IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 kW   最大连续漏极电流 80 A  IXYS 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 600 V  IXYS 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 70 mΩ  IXYS 最大漏源电阻值 70 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 70 mΩ  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 70 mΩ   最大栅阈值电压 5V  IXYS 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  IXYS 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  IXYS 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  IXYS 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• IXFK80N60P3, IXFX80N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode