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安装类型	通孔
长度	20.29mm
尺寸	20.29 x 5.31 x 26.59mm
典型关断延迟时间	94 ns
典型接通延迟时间	46 ns
典型输入电容值@Vds	16200 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	268 nC @ 10 V
封装类型	PLUS264
高度	26.59mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.31mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HiperFET, Polar3
引脚数目	3
最大功率耗散	1.89 kW
最大连续漏极电流	210 A
最大漏源电压	300 V
最大漏源电阻值	14.5 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• IXFB210N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier