NTP5864NG,802-4082,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP5864NG, 63 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP5864NG, 63 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
NTP5864NG
库存编号:
802-4082
ON Semiconductor NTP5864NG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTP5864NG产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor

NTP5864NG产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.28mm  
  尺寸  10.28 x 15.75 x 4.82mm  
  典型关断延迟时间  18 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1680 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  31 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  4.82mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  15.75mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  107 W  
  最大连续漏极电流  63 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  12.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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QQ:800152669

NTP5864NG产品技术参数资料

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