RFD3055LESM9A,802-2159,Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET RFD3055LESM9A, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET RFD3055LESM9A, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
RFD3055LESM9A
库存编号：
802-2159
Fairchild Semiconductor RFD3055LESM9A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RFD3055LESM9A产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

RFD3055LESM9A产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  22 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  350 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9.4 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  38 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  107 mΩ  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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RFD3055LESM9A相关搜索

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