NID9N05ACLT4G,802-1761,ON Semiconductor SMARTDISCRETES 系列 N沟道 Si MOSFET NID9N05ACLT4G, 9 A, Vds=59 V, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
NID9N05ACLT4G
ON Semiconductor SMARTDISCRETES 系列 N沟道 Si MOSFET NID9N05ACLT4G, 9 A, Vds=59 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
NID9N05ACLT4G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
802-1761
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NID9N05ACLT4G产品详细信息
保护 MOSFET SMARTDISCRETES?，ON Semiconductor
自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD（静电放电）保护。
NID9N05ACLT4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.22mm
尺寸
6.22 x 6.73 x 2.38mm
典型关断延迟时间
2500 ns
典型接通延迟时间
200 ns
典型输入电容值@Vds
155 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
封装类型
DPAK
高度
2.38mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.73mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
SMARTDISCRETES
引脚数目
3
最大功率耗散
1.74 W
最大连续漏极电流
9 A
最大漏源电压
59 V
最大漏源电阻值
1.21 Ω
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
15 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NID9N05ACLT4G配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号：
B82801B0205A100
品牌：
EPCOS
库存编号：
871-1613
搜索
NID9N05ACLT4G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.22mm
ON Semiconductor 长度 6.22mm
MOSFET 晶体管 长度 6.22mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.22mm
尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm
ON Semiconductor 尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.22 x 6.73 x 2.38mm
典型关断延迟时间 2500 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 2500 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 2500 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 2500 ns
典型接通延迟时间 200 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 200 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 200 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 200 ns
典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 155 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
封装类型 DPAK
ON Semiconductor 封装类型 DPAK
MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.38mm
ON Semiconductor 高度 2.38mm
MOSFET 晶体管 高度 2.38mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.38mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.73mm
ON Semiconductor 宽度 6.73mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.73mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.73mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 SMARTDISCRETES
ON Semiconductor 系列 SMARTDISCRETES
MOSFET 晶体管 系列 SMARTDISCRETES
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 SMARTDISCRETES
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 1.74 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 1.74 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.74 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.74 W
最大连续漏极电流 9 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 9 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A
最大漏源电压 59 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 59 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 59 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 59 V
最大漏源电阻值 1.21 Ω
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 1.21 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.21 Ω
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.21 Ω
最大栅阈值电压 2.5V
ON Semiconductor 最大栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
最大栅源电压 15 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 15 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 15 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 15 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
NID9N05ACLT4G产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
