NTMD5838NLR2G,802-1064,ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTMD5838NLR2G, 8.9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTMD5838NLR2G, 8.9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
NTMD5838NLR2G
库存编号:
802-1064
ON Semiconductor NTMD5838NLR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTMD5838NLR2G产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,ON Semiconductor

NTMD5838NLR2G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  17 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  785 pF @ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.1 W  
  最大连续漏极电流  8.9 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  36 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NTMD5838NLR2G产品技术参数资料

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