NTHS5443T1G,802-1055,ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装 ,ON Semiconductor
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NTHS5443T1G
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
制造商零件编号:
NTHS5443T1G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
802-1055
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTHS5443T1G产品详细信息
P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor
NTHS5443T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1.1mm
典型关断延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
典型栅极电荷@Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
封装类型
ChipFET
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
1.3 W
最大连续漏极电流
4.9 A
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
74 mΩ
最大栅源电压
±12 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.6V
关键词
NTHS5443T1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
ON Semiconductor 长度 3.1mm
MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm
ON Semiconductor 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm
典型关断延迟时间 38 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 38 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 8.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.5 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.5 ns
典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
封装类型 ChipFET
ON Semiconductor 封装类型 ChipFET
MOSFET 晶体管 封装类型 ChipFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 ChipFET
高度 1.1mm
ON Semiconductor 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.7mm
ON Semiconductor 宽度 1.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
ON Semiconductor 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 1.3 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 1.3 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W
最大连续漏极电流 4.9 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 4.9 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.9 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.9 A
最大漏源电压 20 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
最大漏源电阻值 74 mΩ
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 74 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 74 mΩ
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 74 mΩ
最大栅源电压 ±12 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.6V
ON Semiconductor 最小栅阈值电压 0.6V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
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NTHS5443T1G产品技术参数资料
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