NTD5806NT4G,802-1024,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5806NT4G, 33 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5806NT4G, 33 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
NTD5806NT4G
库存编号:
802-1024
ON Semiconductor NTD5806NT4G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTD5806NT4G产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,40V,ON Semiconductor

NTD5806NT4G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.38mm  
  典型关断延迟时间  14.2 ns  
  典型接通延迟时间  10.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  860 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.38mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  40 W  
  最大连续漏极电流  33 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  26 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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NTD5806NT4G产品技术参数资料

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