NTB5605PT4G,802-0998,ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB5605PT4G, 18.5A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装 ,ON Semiconductor
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NTB5605PT4G
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB5605PT4G, 18.5A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
NTB5605PT4G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
802-0998
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NTB5605PT4G产品详细信息
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor
NTB5605PT4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.29mm
尺寸
10.29 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
12.5 ns
典型输入电容值@Vds
730 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs
13 nC @ 4.5 V
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
9.65mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
88 W
最大连续漏极电流
18.5A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
140 mΩ
最大栅阈值电压
2V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NTB5605PT4G配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号：
B82801B0205A100
品牌：
EPCOS
库存编号：
871-1613
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.29mm
ON Semiconductor 长度 10.29mm
MOSFET 晶体管 长度 10.29mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.29mm
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
ON Semiconductor 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间 29 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 29 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 12.5 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 12.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.5 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.5 ns
典型输入电容值@Vds 730 pF @ -25 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 730 pF @ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 730 pF @ -25 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 730 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V
封装类型 D2PAK
ON Semiconductor 封装类型 D2PAK
MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.83mm
ON Semiconductor 高度 4.83mm
MOSFET 晶体管 高度 4.83mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 9.65mm
ON Semiconductor 宽度 9.65mm
MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
ON Semiconductor 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 88 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 88 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 88 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 88 W
最大连续漏极电流 18.5A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18.5A
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最大漏源电压 60 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
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最大漏源电阻值 140 mΩ
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
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NTB5605PT4G产品技术参数资料
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