NTB5605PT4G,802-0998,ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB5605PT4G, 18.5A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB5605PT4G, 18.5A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
NTB5605PT4G
库存编号:
802-0998
ON Semiconductor NTB5605PT4G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTB5605PT4G产品详细信息

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor

NTB5605PT4G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.29mm  
  尺寸  10.29 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  29 ns  
  典型接通延迟时间  12.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  730 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13 nC @ 4.5 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  88 W  
  最大连续漏极电流  18.5A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  140 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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NTB5605PT4G产品技术参数资料

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