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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.6 x 0.85mm
典型关断延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	4.2 ns
典型输入电容值@Vds	186 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	4 nC @ 10 V
封装类型	MCPH
高度	0.85mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	800 mW
最大连续漏极电流	2.5 A
最大漏源电压	35 V
最大漏源电阻值	98 mΩ
最大栅阈值电压	2.6V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  ON Semiconductor 长度 2mm  MOSFET 晶体管 长度 2mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm  ON Semiconductor 尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm   典型关断延迟时间 15 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 4.2 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 4.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.2 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.2 ns   典型输入电容值@Vds 186 pF @ 20 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 186 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 186 pF @ 20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 186 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V   封装类型 MCPH  ON Semiconductor 封装类型 MCPH  MOSFET 晶体管 封装类型 MCPH  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 MCPH   高度 0.85mm  ON Semiconductor 高度 0.85mm  MOSFET 晶体管 高度 0.85mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.85mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.6mm  ON Semiconductor 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  ON Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 800 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 800 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW   最大连续漏极电流 2.5 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 2.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.5 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.5 A   最大漏源电压 35 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 35 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 35 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 35 V   最大漏源电阻值 98 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 98 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 98 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 98 mΩ   最大栅阈值电压 2.6V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 2.6V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.6V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.6V   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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