EMH1405-TL-H,802-0881,ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 EMH1405-TL-H, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 EMH封装 ,ON Semiconductor
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EMH1405-TL-H
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 EMH1405-TL-H, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 EMH封装
制造商零件编号：
EMH1405-TL-H
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
802-0881
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
EMH1405-TL-H产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor
EMH1405-TL-H产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.7 x 0.75mm
典型关断延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
典型栅极电荷@Vgs
15 nC @ 10 V
封装类型
EMH
高度
0.75mm
宽度
1.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
1.5 W
最大连续漏极电流
8.5 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
42 mΩ
最大栅源电压
±10 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
EMH1405-TL-H相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
ON Semiconductor 长度 2mm
MOSFET 晶体管 长度 2mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.7 x 0.75mm
ON Semiconductor 尺寸 2 x 1.7 x 0.75mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.7 x 0.75mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.7 x 0.75mm
典型关断延迟时间 63 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 63 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 9.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
封装类型 EMH
ON Semiconductor 封装类型 EMH
MOSFET 晶体管 封装类型 EMH
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 EMH
高度 0.75mm
ON Semiconductor 高度 0.75mm
MOSFET 晶体管 高度 0.75mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.75mm
宽度 1.7mm
ON Semiconductor 宽度 1.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 1.5 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 1.5 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.5 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.5 W
最大连续漏极电流 8.5 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 8.5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.5 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.5 A
最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 42 mΩ
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 42 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 42 mΩ
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 42 mΩ
最大栅源电压 ±10 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±10 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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EMH1405-TL-H产品技术参数资料
ON Semi MOSFET, EMH1405-TL-H, Data Sheet
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