EFC4615R-TR,802-0875,ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EFC4615R-TR, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 EFCP封装 ,ON Semiconductor
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EFC4615R-TR
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EFC4615R-TR, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 EFCP封装
制造商零件编号:
EFC4615R-TR
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
802-0875
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
EFC4615R-TR产品详细信息
双 N 通道 MOSFET,ON Semiconductor
EFC4615R-TR产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.46mm
尺寸
1.46 x 1.46 x 0.22mm
典型关断延迟时间
335 ns
典型接通延迟时间
13 ns
典型栅极电荷@Vgs
8.8 nC @ 4.5 V
封装类型
EFCP
高度
0.22mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
共漏极
宽度
1.46mm
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
消耗
引脚数目
4
最大功率耗散
1.6 W
最大连续漏极电流
6 A
最大漏源电压
24 V
最大漏源电阻值
0.031 Ω
最大栅阈值电压
1.3V
最大栅源电压
±12 V
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.5V
关键词
EFC4615R-TR相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.46mm
ON Semiconductor 长度 1.46mm
MOSFET 晶体管 长度 1.46mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 1.46mm
尺寸 1.46 x 1.46 x 0.22mm
ON Semiconductor 尺寸 1.46 x 1.46 x 0.22mm
MOSFET 晶体管 尺寸 1.46 x 1.46 x 0.22mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 1.46 x 1.46 x 0.22mm
典型关断延迟时间 335 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 335 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 335 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 335 ns
典型接通延迟时间 13 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 13 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
封装类型 EFCP
ON Semiconductor 封装类型 EFCP
MOSFET 晶体管 封装类型 EFCP
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 EFCP
高度 0.22mm
ON Semiconductor 高度 0.22mm
MOSFET 晶体管 高度 0.22mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.22mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 共漏极
ON Semiconductor 晶体管配置 共漏极
MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极
宽度 1.46mm
ON Semiconductor 宽度 1.46mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.46mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.46mm
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 消耗
ON Semiconductor 通道模式 消耗
MOSFET 晶体管 通道模式 消耗
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 消耗
引脚数目 4
ON Semiconductor 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 4
最大功率耗散 1.6 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 1.6 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W
最大连续漏极电流 6 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 6 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A
最大漏源电压 24 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 24 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V
最大漏源电阻值 0.031 Ω
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 0.031 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.031 Ω
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.031 Ω
最大栅阈值电压 1.3V
ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1.3V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V
最大栅源电压 ±12 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.5V
ON Semiconductor 最小栅阈值电压 0.5V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V
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EFC4615R-TR产品技术参数资料
ON Semi MOSFET, EFC4615R-TR, Data Sheet
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