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安装类型	通孔
长度	28.85mm
尺寸	28.85 x 10.16 x 4.7mm
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	80 pF@ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	4.2 nC @ 10 V
封装类型	TO-220F
高度	4.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	10.16mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	20 W
最大连续漏极电流	200 mA
最大漏源电压	1500 V
最大漏源电阻值	150 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 28.85mm  ON Semiconductor 长度 28.85mm  MOSFET 晶体管 长度 28.85mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 28.85mm   尺寸 28.85 x 10.16 x 4.7mm  ON Semiconductor 尺寸 28.85 x 10.16 x 4.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 28.85 x 10.16 x 4.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 28.85 x 10.16 x 4.7mm   典型关断延迟时间 43 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 43 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns   典型接通延迟时间 8 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 80 pF@ 30 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 80 pF@ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 80 pF@ 30 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 80 pF@ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V   封装类型 TO-220F  ON Semiconductor 封装类型 TO-220F  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F   高度 4.7mm  ON Semiconductor 高度 4.7mm  MOSFET 晶体管 高度 4.7mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.7mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 10.16mm  ON Semiconductor 宽度 10.16mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.16mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 10.16mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 20 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 20 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 20 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 20 W   最大连续漏极电流 200 mA  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 200 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA   最大漏源电压 1500 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 1500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1500 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1500 V   最大漏源电阻值 150 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 150 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 Ω   最大栅阈值电压 4V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±30 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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