IXFT18N100Q3,801-1461,IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装

制造商零件编号：
IXFT18N100Q3
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
801-1461
IXYS IXFT18N100Q3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXFT18N100Q3产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度

IXFT18N100Q3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  16.05mm  
  尺寸  16.05 x 14 x 5.1mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  37 ns  
  典型输入电容值@Vds  4890 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  90 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-268  
  高度  5.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  14mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Q3-Class  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  830 W  
  最大连续漏极电流  18 A  
  最大漏源电压  1000 V  
  最大漏源电阻值  660 mΩ  
  最大栅阈值电压  6.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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