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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.5 x 1.1mm
典型关断延迟时间	155 ns
典型接通延迟时间	19 ns
典型输入电容值@Vds	7 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	1.58 nC @ 10 V
封装类型	SOT-23
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.5mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	250 mW
最大连续漏极电流	150 mA
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	12.8 Ω
最大栅阈值电压	1.3V
最大栅源电压	±10 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  ON Semiconductor 长度 2.9mm  MOSFET 晶体管 长度 2.9mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm  ON Semiconductor 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm   典型关断延迟时间 155 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 155 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 155 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 155 ns   典型接通延迟时间 19 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns   典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V   封装类型 SOT-23  ON Semiconductor 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.1mm  ON Semiconductor 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.5mm  ON Semiconductor 宽度 1.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.5mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.5mm   类别 小信号  ON Semiconductor 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 250 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 250 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 mW  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 mW   最大连续漏极电流 150 mA  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 150 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 150 mA  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 150 mA   最大漏源电压 30 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 12.8 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 12.8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12.8 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12.8 Ω   最大栅阈值电压 1.3V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V   最大栅源电压 ±10 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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