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安装类型	通孔
长度	15.94mm
尺寸	15.94 x 5.02 x 20.95mm
典型关断延迟时间	200 ns
典型接通延迟时间	80 ns
典型输入电容值@Vds	4100 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs	110 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	20.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.02mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	270 W
最大连续漏极电流	39 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	65 mΩ
最大栅阈值电压	3.7V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TK39N60W_E
• TK39N60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
• TK39N60W N-Channel MOSFET Data Sheet