TK31J60W5,S1VQ(O,799-5097,Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号:
TK31J60W5,S1VQ(O
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
799-5097
Toshiba TK31J60W5,S1VQ(O
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK31J60W5,S1VQ(O产品详细信息

MOSFET N 通道,TK3x 系列,Toshiba

TK31J60W5,S1VQ(O产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.5mm  
  尺寸  15.5 x 4.5 x 20mm  
  典型关断延迟时间  165 ns  
  典型接通延迟时间  120 ns  
  典型输入电容值@Vds  3000 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  105 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-3PN  
  高度  20mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  230 W  
  最大连续漏极电流  31 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  99 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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