TK12P60W,RVQ(S,799-5019,Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装 ,Toshiba
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
TK12P60W,RVQ(S
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
799-5019
Toshiba TK12P60W,RVQ(S
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

TK12P60W,RVQ(S产品详细信息

TK12P60W,RVQ(S产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 7.18 x 2.3mm  
  典型关断延迟时间  85 ns  
  典型接通延迟时间  45 ns  
  典型输入电容值@Vds  890 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  7.18mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  100 W  
  最大连续漏极电流  11.5 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  340 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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TK12P60W,RVQ(S配套附件

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TK12P60W,RVQ(S相关搜索

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  Toshiba 长度 6.6mm  MOSFET 晶体管 长度 6.6mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 7.18 x 2.3mm  Toshiba 尺寸 6.6 x 7.18 x 2.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 7.18 x 2.3mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 7.18 x 2.3mm   典型关断延迟时间 85 ns  Toshiba 典型关断延迟时间 85 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns   典型接通延迟时间 45 ns  Toshiba 典型接通延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns   典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V   典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Toshiba 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.3mm  Toshiba 高度 2.3mm  MOSFET 晶体管 高度 2.3mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 2.3mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 7.18mm  Toshiba 宽度 7.18mm  MOSFET 晶体管 宽度 7.18mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 7.18mm   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 100 W  Toshiba 最大功率耗散 100 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 W  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 W   最大连续漏极电流 11.5 A  Toshiba 最大连续漏极电流 11.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.5 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.5 A   最大漏源电压 600 V  Toshiba 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 340 mΩ  Toshiba 最大漏源电阻值 340 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 340 mΩ  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 340 mΩ   最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba 最大栅阈值电压 3.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V   最大栅源电压 ±30 V  Toshiba 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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