PSMN8R3-40YS,798-3034,Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装 ,Nexperia
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PSMN8R3-40YS
Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
制造商零件编号:
PSMN8R3-40YS
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
798-3034
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PSMN8R3-40YS产品详细信息
N 通道 MOSFET,10A 至 99A,Nexperia
PSMN8R3-40YS产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
13 ns
典型输入电容值@Vds
1215 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs
20 nC @ 10 V
封装类型
SOT-669
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.1mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
74 W
最大连续漏极电流
70 A
最大漏源电压
40 V
最大漏源电阻值
11.6 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
PSMN8R3-40YS相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Nexperia 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
Nexperia 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间 21 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 21 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 13 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 13 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
典型输入电容值@Vds 1215 pF @ 20 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 1215 pF @ 20 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1215 pF @ 20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1215 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V
封装类型 SOT-669
Nexperia 封装类型 SOT-669
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-669
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-669
高度 1.1mm
Nexperia 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.1mm
Nexperia 宽度 4.1mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 4
Nexperia 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 4
最大功率耗散 74 W
Nexperia 最大功率耗散 74 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 74 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 74 W
最大连续漏极电流 70 A
Nexperia 最大连续漏极电流 70 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 70 A
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 70 A
最大漏源电压 40 V
Nexperia 最大漏源电压 40 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
最大漏源电阻值 11.6 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 11.6 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11.6 mΩ
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11.6 mΩ
最大栅阈值电压 4V
Nexperia 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
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最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
Nexperia 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 2V
Nexperia 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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PSMN8R3-40YS产品技术参数资料
PSMN8R3-40YS, N-channel LFPAK 40V, 8.6mΩ standard level MOSFET Data Sheet
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