PSMN8R0-40PS,798-3022,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R0-40PS, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Nexperia
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R0-40PS, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
PSMN8R0-40PS
库存编号：
798-3022
Nexperia PSMN8R0-40PS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PSMN8R0-40PS产品详细信息

N 通道 MOSFET，10A 至 99A，Nexperia

PSMN8R0-40PS产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.3mm  
  尺寸  10.3 x 4.7 x 16mm  
  典型关断延迟时间  21 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1262 pF @ 12 V  
  典型栅极电荷@Vgs  21 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  86 W  
  最大连续漏极电流  77 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  7.6 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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