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安装类型	表面贴装
长度	10.3mm
尺寸	10.3 x 11 x 4.5mm
典型关断延迟时间	83 ns
典型接通延迟时间	31 ns
典型输入电容值@Vds	8061 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	141 nC @ 10 V
封装类型	D2PAK
高度	4.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	11mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	306 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	10 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• PSMN5R6-100BS, N-channel 100V, 5.6mΩ standard level MOSFET in D2PAK Data Sheet