PSMN5R6-100BS,798-2990,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100BS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Nexperia
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100BS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
PSMN5R6-100BS
库存编号:
798-2990
Nexperia PSMN5R6-100BS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PSMN5R6-100BS产品详细信息

N 通道 MOSFET,超过 100A,Nexperia

PSMN5R6-100BS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.3mm  
  尺寸  10.3 x 11 x 4.5mm  
  典型关断延迟时间  83 ns  
  典型接通延迟时间  31 ns  
  典型输入电容值@Vds  8061 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  141 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  11mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  306 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  10 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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