PSMN1R7-30YL,798-2912,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-30YL, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装 ,Nexperia
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-30YL, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装

制造商零件编号:
PSMN1R7-30YL
库存编号:
798-2912
Nexperia PSMN1R7-30YL
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PSMN1R7-30YL产品详细信息

N 通道 MOSFET,超过 100A,Nexperia

PSMN1R7-30YL产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  76 ns  
  典型接通延迟时间  46 ns  
  典型输入电容值@Vds  5057 pF @ 12 V  
  典型栅极电荷@Vgs  77.9 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-669  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.1mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  109 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  2.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.15V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.3V  
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安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Nexperia 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm  Nexperia 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm   典型关断延迟时间 76 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 76 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns   典型接通延迟时间 46 ns  Nexperia 典型接通延迟时间 46 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 46 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 46 ns   典型输入电容值@Vds 5057 pF @ 12 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 5057 pF @ 12 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5057 pF @ 12 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5057 pF @ 12 V   典型栅极电荷@Vgs 77.9 nC @ 10 V  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 77.9 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 77.9 nC @ 10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 77.9 nC @ 10 V   封装类型 SOT-669  Nexperia 封装类型 SOT-669  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-669  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-669   高度 1.1mm  Nexperia 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Nexperia 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.1mm  Nexperia 宽度 4.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm   每片芯片元件数目 1  Nexperia 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Nexperia 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Nexperia 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 109 W  Nexperia 最大功率耗散 109 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 109 W  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 109 W   最大连续漏极电流 100 A  Nexperia 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 30 V  Nexperia 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 2.4 mΩ  Nexperia 最大漏源电阻值 2.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 mΩ  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 mΩ   最大栅阈值电压 2.15V  Nexperia 最大栅阈值电压 2.15V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.15V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.15V   最大栅源电压 ±20 V  Nexperia 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Nexperia 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.3V  Nexperia 最小栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.3V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.3V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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PSMN1R7-30YL,115
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

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MOSFET <=30V N CH TRENCHFET

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN1R7-30YL,115)

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN1R7-30YL,115)

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<=30V N CH TRENCHFET

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MOSFET, N CH 30V 100A SOT669

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MOSFET, N CH 30V 100A SOT669

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N-Channel 30 V 2.4 mOhm 36.2 nC Surface Mont Logic Level Mosfet - LFPAK56

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PSMN1R7-30YL115
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PSMN1R7-30YL.115
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Nexperia

Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 100A, 109W, PowerSO8

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Nexperia USA Inc. - PSMN1R7-30YL,115 - MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8

型号:PSMN1R7-30YL,115
仓库库存编号:1727-4162-1-ND
别名:1727-4162-1 <br>568-4678-1 <br>568-4678-1-ND <br>PSMN1R730YL115 <br>

无铅
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Nexperia - PSMN1R7-30YL - NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-30YL, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装

制造商零件编号:
PSMN1R7-30YL
品牌:
Nexperia
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798-2912
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PSMN1R7-30YL
NEXPERIA PSMN1R7-30YL
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NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 1.29 mohm, 10 V, 1.7 V

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