PMV37EN,798-2808,NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV37EN, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装 ,NXP
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
PMV37EN
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV37EN, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
制造商零件编号:
PMV37EN
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
798-2808
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMV37EN产品详细信息
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,Nexperia
PMV37EN产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
4 ns
典型输入电容值@Vds
330 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
6.5 nC @ 10 V
封装类型
TO-236AB
高度
1mm
宽度
1.4mm
类别
Trench MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
1.8 W
最大连续漏极电流
3.1 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
36 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
PMV37EN相关搜索
安装类型 表面贴装
NXP 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
NXP 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
NXP MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1mm
NXP 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
NXP MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间 55 ns
NXP 典型关断延迟时间 55 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns
NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 4 ns
NXP 典型接通延迟时间 4 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns
NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns
典型输入电容值@Vds 330 pF @ 15 V
NXP 典型输入电容值@Vds 330 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 330 pF @ 15 V
NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 330 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V
NXP 典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V
NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V
封装类型 TO-236AB
NXP 封装类型 TO-236AB
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-236AB
NXP MOSFET 晶体管 封装类型 TO-236AB
高度 1mm
NXP 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
NXP MOSFET 晶体管 高度 1mm
宽度 1.4mm
NXP 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 Trench MOSFET
NXP 类别 Trench MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET
NXP MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET
每片芯片元件数目 1
NXP 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
NXP 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
NXP 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
NXP 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 1.8 W
NXP 最大功率耗散 1.8 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W
NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W
最大连续漏极电流 3.1 A
NXP 最大连续漏极电流 3.1 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.1 A
NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.1 A
最大漏源电压 30 V
NXP 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 36 mΩ
NXP 最大漏源电阻值 36 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ
NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
NXP 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
NXP 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号