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安装类型	表面贴装
长度	1.8mm
尺寸	1.8 x 0.9 x 0.85mm
典型关断延迟时间	80 ns
典型接通延迟时间	18 ns
典型输入电容值@Vds	58 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	0.76 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-416
高度	0.85mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	0.9mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	770 mW
最大连续漏极电流	480 mA
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	850 mΩ
最大栅阈值电压	1.3V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.5V
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.8mm  NXP 长度 1.8mm  MOSFET 晶体管 长度 1.8mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 1.8mm   尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 1.8 x 0.9 x 0.85mm   典型关断延迟时间 80 ns  NXP 典型关断延迟时间 80 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns   典型接通延迟时间 18 ns  NXP 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 58 pF @ -10 V  NXP 典型输入电容值@Vds 58 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 58 pF @ -10 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 58 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.76 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-416  NXP 封装类型 SOT-416  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-416  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-416   高度 0.85mm  NXP 高度 0.85mm  MOSFET 晶体管 高度 0.85mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 0.85mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.9mm  NXP 宽度 0.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.9mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 0.9mm   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  NXP 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 770 mW  NXP 最大功率耗散 770 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 770 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 770 mW   最大连续漏极电流 480 mA  NXP 最大连续漏极电流 480 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 480 mA  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 480 mA   最大漏源电压 20 V  NXP 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 850 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 850 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 850 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 850 mΩ   最大栅阈值电压 1.3V  NXP 最大栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V   最大栅源电压 ±8 V  NXP 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.5V  NXP 最小栅阈值电压 0.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  

• PMR670UPE, 20V, 480mA P-channel Trench MOSFET Data Sheet