PMR670UPE,798-2776,NXP Si P沟道 MOSFET PMR670UPE, 480 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装 ,NXP
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NXP Si P沟道 MOSFET PMR670UPE, 480 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装

制造商零件编号:
PMR670UPE
制造商:
NXP NXP
库存编号:
798-2776
NXP PMR670UPE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PMR670UPE产品详细信息

P 通道 MOSFET,Nexperia

PMR670UPE产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.8mm  
  尺寸  1.8 x 0.9 x 0.85mm  
  典型关断延迟时间  80 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  58 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.76 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-416  
  高度  0.85mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  770 mW  
  最大连续漏极电流  480 mA  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  850 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.3V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.5V  
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