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安装类型	表面贴装
长度	2.1mm
尺寸	2.1 x 2.1 x 0.65mm
典型关断延迟时间	9 ns
典型接通延迟时间	9 ns
典型输入电容值@Vds	435 pF @ 15
典型栅极电荷@Vgs	7.2 nC @ 10 V
封装类型	DFN-2020
高度	0.65mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.1mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	12.5 W
最大连续漏极电流	7 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	19.5 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• PMPB20EN, 30V N-channel Trench MOSFET Data Sheet