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安装类型	表面贴装
长度	2.1mm
尺寸	2.1 x 2.1 x 0.65mm
典型关断延迟时间	120 ns
典型接通延迟时间	6 ns
典型输入电容值@Vds	550 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	5.7 nC @ 4.5 V
封装类型	DFN-2020
高度	0.65mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	2.1mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	6.25 W
最大连续漏极电流	2.7 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	102 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.1mm  Nexperia 长度 2.1mm  MOSFET 晶体管 长度 2.1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 2.1mm   尺寸 2.1 x 2.1 x 0.65mm  Nexperia 尺寸 2.1 x 2.1 x 0.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.1 x 2.1 x 0.65mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 2.1 x 2.1 x 0.65mm   典型关断延迟时间 120 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 120 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 120 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 120 ns   典型接通延迟时间 6 ns  Nexperia 典型接通延迟时间 6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns   典型输入电容值@Vds 550 pF @ -10 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 550 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ -10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 4.5 V   封装类型 DFN-2020  Nexperia 封装类型 DFN-2020  MOSFET 晶体管 封装类型 DFN-2020  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 DFN-2020   高度 0.65mm  Nexperia 高度 0.65mm  MOSFET 晶体管 高度 0.65mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 0.65mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Nexperia 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 2.1mm  Nexperia 宽度 2.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 2.1mm   每片芯片元件数目 2  Nexperia 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  Nexperia 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Nexperia 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 6.25 W  Nexperia 最大功率耗散 6.25 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 6.25 W  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 6.25 W   最大连续漏极电流 2.7 A  Nexperia 最大连续漏极电流 2.7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.7 A  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.7 A   最大漏源电压 20 V  Nexperia 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 102 mΩ  Nexperia 最大漏源电阻值 102 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 102 mΩ  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 102 mΩ   最大栅阈值电压 1V  Nexperia 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±12 V  Nexperia 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Nexperia 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  

• PMDPB80XP, 20V, dual P-channel Trench MOSFET Data Sheet