TK10J80E,796-5159,Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10J80E, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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TK10J80E
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10J80E, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
TK10J80E
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
796-5159
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TK10J80E产品详细信息
TK10J80E产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.5mm
尺寸
15.5 x 4.5 x 20mm
典型关断延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
80 ns
典型输入电容值@Vds
2000 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
46 nC @ 10 V
封装类型
TO-3PN
高度
20mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
TK
引脚数目
3
最大功率耗散
250 W
最大连续漏极电流
10 A
最大漏源电压
800 V
最大漏源电阻值
1 Ω
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±30 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
TK10J80E相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.5mm
Toshiba 长度 15.5mm
MOSFET 晶体管 长度 15.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 15.5mm
尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
Toshiba 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
典型关断延迟时间 140 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 140 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 80 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 80 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 80 ns
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典型输入电容值@Vds 2000 pF @ 25 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 2000 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2000 pF @ 25 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2000 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V
封装类型 TO-3PN
Toshiba 封装类型 TO-3PN
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN
高度 20mm
Toshiba 高度 20mm
MOSFET 晶体管 高度 20mm
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晶体管材料 Si
Toshiba 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.5mm
Toshiba 宽度 4.5mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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系列 TK
Toshiba 系列 TK
MOSFET 晶体管 系列 TK
Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TK
引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 250 W
Toshiba 最大功率耗散 250 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 W
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最大连续漏极电流 10 A
Toshiba 最大连续漏极电流 10 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 10 A
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最大漏源电压 800 V
Toshiba 最大漏源电压 800 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V
最大漏源电阻值 1 Ω
Toshiba 最大漏源电阻值 1 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 Ω
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最大栅阈值电压 4V
Toshiba 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
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最大栅源电压 ±30 V
Toshiba 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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TK10J80E产品技术参数资料
TK10J80E, MOSFET Silicon N-Channel MOS Data Sheet
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