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安装类型	表面贴装
长度	4.9mm
尺寸	4.9 x 3.9 x 1.52mm
典型关断延迟时间	17 ns
典型接通延迟时间	6.7 ns
典型输入电容值@Vds	640 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	10 nC @ 10 V
封装类型	SOP
高度	1.52mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	3.9mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
系列	TPC
引脚数目	8
最大功率耗散	1.5 W
最大连续漏极电流	5.1 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	40 mΩ
最大栅阈值电压	2.3V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Toshiba 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.9 x 1.52mm  Toshiba 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.52mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.52mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.52mm   典型关断延迟时间 17 ns  Toshiba 典型关断延迟时间 17 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17 ns   典型接通延迟时间 6.7 ns  Toshiba 典型接通延迟时间 6.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.7 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.7 ns   典型输入电容值@Vds 640 pF @ 10 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 640 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 640 pF @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 640 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V   封装类型 SOP  Toshiba 封装类型 SOP  MOSFET 晶体管 封装类型 SOP  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 SOP   高度 1.52mm  Toshiba 高度 1.52mm  MOSFET 晶体管 高度 1.52mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 1.52mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Toshiba 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 3.9mm  Toshiba 宽度 3.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 3.9mm   类别 功率 MOSFET  Toshiba 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Toshiba 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TPC  Toshiba 系列 TPC  MOSFET 晶体管 系列 TPC  Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TPC   引脚数目 8  Toshiba 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1.5 W  Toshiba 最大功率耗散 1.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.5 W  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.5 W   最大连续漏极电流 5.1 A  Toshiba 最大连续漏极电流 5.1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.1 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.1 A   最大漏源电压 40 V  Toshiba 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 40 mΩ  Toshiba 最大漏源电阻值 40 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ   最大栅阈值电压 2.3V  Toshiba 最大栅阈值电压 2.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.3V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.3V   最大栅源电压 ±20 V  Toshiba 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• TPC8227-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet